SiC晶體碳化矽晶體微波檢測光電導率(MDP)和光誘導電流瞬態光譜(MD-PICTS)兩種無接觸和無破壞的方法是表徵材料質量和缺陷的理想方法
會議現場答謝晚宴會場各大供應商展區淺談半導體功率器件國內功率半導體器件需求很火,功率半導體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導體器件
羅姆公司董事長松本功表示,新能源汽車在中國發展勢頭良好,新公司的功率模組開發,將為SiC功率器件在新能源汽車中的應用提供強有力的後盾,並對其他應用的研究發揮重要作用
凡是多天線和NOMA結合的,一定有隱情,要麼圖是錯的,要麼用了各種隱含的限制條件降低了baseline的效能,要麼就不跟MIMO OMA比
分別是RKF SHF/SIC 真骨雕 RAH首先是RKF,這個屬於價格方面最親民的一個系列,無論是可動性還是模型細節方面都一般
目前所有的碳化矽器件基本上都是在外延上實現的,外延環節是產業鏈的中間環節,首先,器件的設計對外延的質量效能要求高影響非常大,同時外延的質量也受到晶體和襯底加工的影響,所以SIC外延環節對產業鏈的整體發展起到非常關鍵的作用
按步驟劃分的Ga 2 O 3 襯底製造成本(圖片來源:半導體行業觀察)在電流和電壓需求方面Si,SiC,GaN和GaO功率電子器件的應用(Flosfia介紹)GaO與SiC成本對比(EE POWER)綜上,氧化鎵是一種新興的功率半導體材料,
碳化矽是由碳元素和矽元素組成的一種化合物半導體材料
國際大廠由於產品毛利少逐步退出,導致供需緊張,交貨週期延長,價格持續上揚,大陸和臺灣廠商有望憑藉低成本優勢以及產業扶持政策逐步佔據市場,成為功率器件中率先突破的子領域
三電平Vienna整流的拓撲結構和形式多種多樣,但基本的拓撲形式都是從”I”型三電平和”T”型三電平這兩種三電平拓撲結構演化而來,目的是去掉其中一些開關器件,保留二極體,利用鉗位電路形成PFC的功能,這樣使得系統成本大大降低,同時也有了功率
在高壓領域外延的技術發展相對比較滯後,如上是2萬伏的器件上的200μm的一個碳化矽外延材料,它的均勻性、厚度和濃度相對於上述介紹的低壓差很多,尤其是摻雜濃度的均勻性
通俗一點的話,可以理解為,諾貝爾種植體是蘋果手機士卓曼(ITI)植體是華為手機SIC植體是OPPO,vivo瑞士SIC種植體的精密度是目前世界上最高的,價格屬於中高階只有搞營銷的口腔門診才會用這款植體,原因大家都懂得
圖4 快充的比拼現在的問題主要有兩個:1) SiC 可靠供應問題:這個活,不是那麼容易做的,特別是在高效能汽車裡面,怎麼弄都是很惡劣的工況,前段時間某企業用SiC在車載充電機裡面,弄不好用一年批量出問題,這不是開玩笑的事情2) SiC的價格
另外這條線出東西是挺隨性的,shf雖然現在出東西也比較隨性,擱著不少最終形態不出愛出些所謂人氣高能玩梗的,但至少還算與時俱進初始的主騎shf+骨雕現在是都出過了的,sic就不是了,沒記錯的話從ea到現在的01都沒出,就算是四仔和ghost也
而將驅動系統安裝在車輪內的輪轂電機,更是進一步推進了小型輕量化圖1:電動車的驅動系統機電一體加速預計在2019年前後,配備電機與減速箱2部件一體化,或電機、減速箱、逆變器3個部件一體化驅動系統的電動車輛會逐步增加
其實,開發一種廉價可靠的石墨烯應用技術是需要投入很多上下游資源整合,目前只有軍方的研究機構在進行,這倒並不是我們沒法做出這類石墨烯產品,而是我們做出來了沒有軍方來驗證,更不要說前期得由他們提出需求規格才行
在射頻器件領域,目前LDMOS(橫向擴散金氧半導體)、GaAs(砷化鎵)、GaN(氮化鎵)三者佔比相差不大,但據Yole development預測,至2025年,砷化鎵市場份額基本維持不變的情況下,氮化鎵有望替代大部分LDMOS份額
Avnet高階功率技術應用工程師Udo Blaga認為,選擇GaN或SiC器件需要在其效能、成本、工作要求、尺寸、熱效率和可用性之間進行設計選擇的權衡
可以說,當晚senate和sic-pp的聯動是非常成功的,如果沒有王明森學長和凱哥的共同努力,當晚的聯動不會做到那樣好
結語終端市場的變化為功率半導體帶來了新一輪的發展機會,在這個過程中,我們看到國際廠商正在向新的發展趨勢靠攏,而國內也有少數廠商在致力於高階功率半導體的研究,但就整體發展情況來言,我國功率半導體實力依舊有待提高