如果電路中有電感性負載,則當器件關斷時,漏極電流的突變(di/dt)會產生比電源電壓高的多的漏極電壓過沖,導致器件損壞
這個比較麻煩,不過要仔細看看自己原理圖是否有可能這樣的情況,同時結合割線的方法一步步排查到底是什麼地方短路了,是pcb的問題(一般比較爛的pcb廠就可能出現這種情況),還是裝配的問題,還是自己設計的問題
SOA是由幾個限制條件組成的一個漏源極電壓uDS和漏極電流iD的關係圖,MOSFET正常工作時的電壓和電流都不應該超過該限定範圍
com/kf(空間有限,僅展示部分)附贈資料:專案所有的規格書、原理圖、PCB庫、及完成的參考PCB檔案2)理解電路如果你找到了的參考設計,那麼恭喜你,你可以節約很多時間了(包括前期設計和後期除錯)
com/video/1568677659751788544在前兩期的SiC科普小課堂中,基本半導體技術營銷總監魏煒老師為大家科普了MOSFET的概念、分類、溝道型別以及反型現象等知識
採用功率MOSFET場效應作為開關電源中的功率開關,在啟動或穩態工作條件下,功率MOSFET場效電晶體的峰值電流要比採用雙極型功率電晶體小得多
在電路中,選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結出以下幾點:也可從下圖看出兩者使用的條件,陰影部分割槽域表示MOSFET和IGBT都可以選用,“
原網址:MOSFET導透過程詳細分析 - 大大通原作者:張強MOSFET導透過程詳細分析一、MOSFET開透過程T0~T1:驅動透過Rgate對Cgs充電,電壓Vgs以指數的形式上升T1~T2:Vgs達到MOSFET開啟電壓,MOSFET進
通常在做開關電源設計時,比如Buck降壓電路,輸入電壓和輸出電壓與佔空比的關係如下:這個D就是DutyCycle,就是佔空比的意思,上MOSFET開啟時間與開關週期的比例,佔空比越高,輸入輸出電壓差別就越小
圖1 使用P溝道MOSFET保護負載免受反向電池的損壞當將電源加到A和B端子(A為正,B為負)時,電晶體的內部二極體D1處於正向偏置,為Q1提供柵源控制電壓,從而使其導通
點選下方連結免費領取,備註:mos管1-MOSFET 的認識及 MOSFET 與三極體對比功耗分析2-MOSFET 損耗問題討論及 MOSFET 的 GS 電容問題討論3-MOSFET 的 GS 下拉電阻及 MOSFET 的等效模型講解4-
■利用變壓器隔離驅動:■對於浮地的MOS,或者和IC隔離的MOS,通常可以採用變壓器隔離驅動■變壓器隔離驅動的關鍵:■變壓器隔離驅動關鍵考慮的問題,就是變壓器的復位,比較常用是利用隔直電容來複位,但是需要注意的是,採用隔直電容之後,有可能變
國際大廠由於產品毛利少逐步退出,導致供需緊張,交貨週期延長,價格持續上揚,大陸和臺灣廠商有望憑藉低成本優勢以及產業扶持政策逐步佔據市場,成為功率器件中率先突破的子領域
請注意,MOSFET的線性區和飽和區與BJT剛好相反,很多人會混淆
下面對MOS失效的原因總結以下六點,然後對1,2重點進行分析:1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,並且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效
引用: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極性三極體)和MOSFET(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件
下面來講講PNP加速關斷驅動電路:04PNP加速關斷驅動電路再來談以下PNP加速關斷電路PNP加速關斷電路是目前應用最多的電路,在加速三級管的作用下可以實現瞬間的柵源短路,從而達到最短的放電時間,之所以加二極體一方面是保護三級管基極,另一方
與在推導MOSFET的直流電流電壓方程時認為溝道內的電流完全由漂移電流構成,忽略擴散電流相反,在亞閾區導電過程中,溝道電流中的漂移電流很小,擴散電流很大,所以可以假設亞閾區漏極電流IDsub完全由擴散電流組成
在漏極電流ID達到飽和之前,VDS>0 V且較小,此時,VGD>0V且接近於VGS,整個溝道存在大量的電子,等效於電阻,因此從輸出特性曲線上看,該部分呈線性變化,如圖4可變電阻區所示
光電繼電器的基本操作包括LED光觸發光電二極體陣列,然後驅動MOSFET