然後這個電壓值大於這個特定值的時候,電阻就接近於零,至於說等於這個值的時候會怎麼樣,我們先不用管這個臨界的電壓值,我們稱之為vgsth,也就是開啟MOS管需要的g、s電壓,這是每一個MOS管的固有屬性,我們可以在MOS管的資料手冊裡面找到它
經過幾個月斷斷續續的學習,結課時老師向我們介紹了MOS認證考試,出於考試費用的考慮,我只報考了Word和Excel兩科考試,2010年4月獲得證書
但其他狀態下並非如此,如mos體二極體導通時,為兩種載流子,電子和空穴
NMOS的溝道材料是N型,而襯底材料是P型,所以柵極需要加正電壓,才能排斥P型襯底裡的空穴,吸引電子聚集在溝道的下方,和柵極的金屬板構成柵電容
在電路中,選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結出以下幾點:也可從下圖看出兩者使用的條件,陰影部分割槽域表示MOSFET和IGBT都可以選用,“
5 MOS管輸出特性曲線對於N溝道增強型的MOS管,當Vgs >Vgs(th)時,MOS就會開始導通,如果在 D 極和 S 極之間加上一定的電壓,就會有電流Id產生
通常一顆倍相器可以控制兩顆 MOS 進行工作,但是這塊主機板一共只有兩顆倍相器,華擎是怎麼做到八相核心供電的呢
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會計、財務:Excel使用的更多PPT:大家都要會一點當然你不能從一方面去考慮這些東西,理論上你作為一個合格的文員,你需要精通MOS(微軟認證的Office證書)
更換的原理圖就是下圖中右面那個電路,實際上換成三極體,同時觸控三極體基極和電源正極(相當於MOS管的柵極和電源正極)這個LED燈也會亮,不過當手鬆開後這個LED燈會立馬熄滅
FP7122/FP7123:耐壓100V,內建MOS,降壓恆流,調光頻率1-20KHz,模擬調光深度20%,恆流精度2%,輸出共陽,適用多路調光燈具
點選下方連結免費領取,備註:mos管1-MOSFET 的認識及 MOSFET 與三極體對比功耗分析2-MOSFET 損耗問題討論及 MOSFET 的 GS 電容問題討論3-MOSFET 的 GS 下拉電阻及 MOSFET 的等效模型講解4-
管腳測定方法:①柵極G的測定:用萬用表R×100檔,測任意兩腳之間正反向電阻,若其中某次測得電阻為數百Ω),該兩腳是D、S,第三腳為G
(PS:左手電,右手磁)電流方向與磁通方向電源內變壓器的電壓極性判斷:當變壓器的原邊繞組上的同名端“1”為負,原邊繞組上正下負時,按照同名端電位極性相同的原則,副邊繞組的同名端即“3”端電位也為負壓,副邊繞組上負下正
Id在上升到最大值以後,也就是MOS和diode換流結束後,Id就等於電感電流IL了,而此時又處於飽和區,所以Vgs就會維持不變,也就是維持米勒平臺的電壓
如何偏置MOS使其獲得穩定電流,書上給出一個例子 ()電流表達式為:但這萬萬不可,因為等值都是溫度等各種因素的函式,換個環境,這個電流值就不對了所以MOS的特性會受到PVT(process, voltage, temperature)的影響
MOS管靜電擊穿的影響因素MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞),又因在靜電較強的場合難於
■利用變壓器隔離驅動:■對於浮地的MOS,或者和IC隔離的MOS,通常可以採用變壓器隔離驅動■變壓器隔離驅動的關鍵:■變壓器隔離驅動關鍵考慮的問題,就是變壓器的復位,比較常用是利用隔直電容來複位,但是需要注意的是,採用隔直電容之後,有可能變
為了防止mos管誤開通,應當滿足:上式給出了驅動電阻Rg的上限值,其中中Cgd為mos管gd的寄生電容,VGSth為mos管的門檻電壓,均可以在對應的datasheet中查到,dV/dt則可以根據電路實際工作時mos的DS電壓和mos管關斷