(5)抗腐蝕性減弱:晶體表面致密度降低,促進與外界物質反應(6)改變晶體能帶結構,發光效能:比如石墨烯摻雜元素能帶改變(7)改變材料的力學效能:空位移動到位錯處可造成刃位錯的攀移,間隙原子和異類原子的存在會增加位錯的運動阻力,使強度提高,塑
溫度導致點缺陷變化動圖:位錯攀移引起點缺陷的變化動圖:02刃位錯的形成①刃型位錯一晶體中半原子面邊緣周圍的原子位置錯排區
溫度導致點缺陷變化動圖:位錯攀移引起點缺陷的變化動圖:02刃位錯的形成①刃型位錯一晶體中半原子面邊緣周圍的原子位置錯排區
化學效能影響主要集中在材料表面性能上, 比如雜質原子的缺陷會在大氣環境下形成原電池模型, 極大地加速材料的腐蝕, 另外表面能量也會受到缺陷的極大影響, 表面化學活性,化學能等等
本次課程石林老師將向大家介紹如何從非輻射衰減的角度,透過第一性原理的方法研究半導體中的點缺陷,以及點缺陷對半導體發光性質的影響,為尋找效能更加優異,環境更友善,成本更低廉的半導體發光材料提供理論支援