光耦合器怎麼測好壞
光耦
合器的功用
光
耦合
器傳輸的訊號可以為數字訊號，也可以為模擬訊號，僅僅對器件要求不同，故選擇時應針對輸入訊號選擇相應的
光電耦合器
。模擬訊號所用光耦常稱為線性光耦，光電耦合器在傳輸訊號的原理上與隔離
變壓器
相同，但它體積小，傳輸訊號的頻率高，運用方便，光電耦合器一般選用
DIP
封裝。
用於傳遞模擬訊號的光耦合器的發光器件為
二極體
、光接收器為光敏
三極體
。當有
電流
透過
發光二極體
時，便構成一個光源，該光源照射到光敏三極體表面上，使光敏三極體發作集電極電流，該電流的大小與光照的強弱，亦即流過二極體的正向電流的大小成正比。由於光耦合器的輸入端和輸出端之間透過光訊號來傳輸，因此兩部分之間在電氣上完全隔離，沒有電訊號的反應和煩擾，故功用安穩，抗煩擾才幹強。發光管和光敏管之間的耦合
電容
小（2pf左右）、耐壓高（2。5KV左右），故共模抑制比CMRR（英文全稱是Common Mode Rejection Ratio）很高。輸入和輸出間的電隔離度取決於兩部分供電電源間的絕緣
電阻
。此外，因其輸入電阻小（約10Ω），對高內阻源的噪聲相當於被短接。因此，由光耦合器構成的模擬訊號隔離
電路
具有優異的電氣功用。
事實上，光耦合器是一種由光電流控制的電流轉移器件，其輸出特性與普通雙極型
電晶體
的輸出特性相似，因而可以將其作為普通
放大器
直接構成模擬放大電路，並且輸入與輸出間可實現電隔離。然而，這類放大電路的工作穩定性較差，無實用價值。究其原因主要有兩點：一是光耦合器的線性工作範圍較窄，且隨溫度變化而變化；二是光耦合器共發射極電流傳輸係數β和集電極反向飽和電流ICBO（即暗電流）受溫度變化的影響明顯。因此，在實際應用中，除應選用線性範圍寬、線性度高的光耦合器來實現模擬訊號隔離外，還必須在電路上採取有效措施，儘量消除溫度變化對放大電路工作狀態的影響。
從光耦合器的轉移特性與溫度的關係可以看出，若使光耦合器構成的模擬隔離電路穩定實用，則應儘量消除暗電流（ICBO）的影響，以提高線性度，做到靜態工作點
IF
Q隨溫度的變化而自動調整，以使輸出訊號保持對稱性，使輸入訊號的動態範圍隨溫度變化而自動變化，以抵消β值隨溫度變化的影響，保證電路工作狀態的穩定性。
光耦合器的型別
光耦合器有管式、雙列直插式和光導
纖維
式等封培育形式，其種類達數十種。光耦合器的種類達數十種，主要有通用型（又分無基極引線和基極引線兩種）、達林頓型、施密特型、高速型、光
積體電路
、
光纖
維、光敏
閘流體
型（又分單向閘流體、雙向閘流體）、光敏
場效電晶體
型。此外還有雙通道式（內部有兩套對管）、高增益型、交-直流輸入型等等。國外生產廠家有英國ISOCOM公司等，國內廠家的蘇州半導體總廠等。
光電耦合器怎麼測好壞
可以透過
測量
電路上內部二極體和三極體的正向和反向電阻來為您判斷光電耦合器。較為可靠的檢測方法有以下三種。
A。透過比較法排除可能出現故障的光耦。用
萬用表
測量其內部二極體和
晶體
管的正負電阻。將測量值與良好的光電耦合器的相應腳進行比較。如果電阻差很大，光耦合器就會損壞。
B。以EL817光電耦合器檢測為例，說明了
數字萬用表
的檢測方法。
檢測電路如圖1所示。在檢測過程中，光電耦合器內部二極體的+端{1}腳和-端{2}腳分別插入到數字萬用表的HFE C和E插孔中。此時，數字萬用表應放置在NPN塊中。然後，光電耦合器內光電電晶體C{5}腳與指標萬用表的黑色筆連線，e{4}腳與紅色筆連線，指標萬用表移位至RX1k塊。這樣，光耦合器就可以透過指標式萬用表的偏轉角度來判斷，這實際上就是光電流的變化。指標偏右越大，光電耦合器的光電轉換效率越高，即透過率越高，反之越低；如果指標不移動，光耦合器就會損壞。
C。光電效應判斷方法仍以EL817光耦合器檢測為例，檢測電路如圖2所示。萬用表放置在RX1k電阻塊中，兩支筆分別連線到光耦合器的輸出{4}和{5}英尺。然後，將1。5V
電池
與50-100Omega電阻串聯後，電池的正負極連線到EL817的{1}英尺，負極連線到{2}英尺，或正極和負極分別連線到{1}英尺和{2}英尺。如果指標振盪，光耦合器是好的。如果不振盪，則光耦損壞。萬用表指標擺動偏轉角越大，光電轉換靈敏度越高。
你可以用兩個萬用表來測量它。該光電耦合器由發光二極體和光電電晶體封裝組成。例如，光電耦合器4N25採用DIP-6封裝，具有六個引腳。所述腳分別為陽極和陰極，所述腳為空腳，所述腳分別為電晶體的e電極、C電極和B電極。過去，在使用萬用表測量光電耦合器時，只對發光二極體和光電電晶體分別進行檢測和判斷，而對光電耦合器的傳輸效能卻沒有作出判斷。
