CVD-ALD前驅體材料

作者：由吳建明wujianming 發表于寵物時間：2021-05-11

CVD-ALD前驅體材料

ALD前驅體源瓶特點是什麼

ALD前驅體源瓶（起泡器）用於固態、液態及氣態超純物料類的封裝，涉及微正壓、常壓、中低壓的危險化學品，對源瓶的安全性和潔淨度提出嚴苛的要求。

ALD前驅體源瓶特點：

所有管件採用316L不鏽鋼，內部經400目機械拋光和電化學拋光，Ra≦0。25微米；

閥門有美國世偉洛克球閥和隔膜閥、日本富士金隔膜閥和韓國TK隔膜閥供選擇；

密封墊片選用純銀鍍鎳墊片；

氦質譜檢測洩漏率≦1。0*10-10mbar L/s；

可盛裝化學品純度≧99。9995；

總殘餘元素量≦50PPb；

墜落試驗，透過國家商檢部門檢測；

介質，TMG\TEG\TMA\TMIN\DEE等；

可選擇氣動閥門或者實現在注入端子、輸出端子以及介面之間的交叉清掃處理等；

可提供非標定做。

積體電路上游材料廠商大力佈局國內市場

總投資10億美元的日本Ferrotec大尺寸半導體矽片專案，打破了國內大尺寸半導體矽片完全依靠進口的局面；與此同時，國際著名積體電路上有氣體材料供應商應特格（Entegris）新專案。國際積體電路上游材料廠商正在大力佈局國內市場。

在積體電路半導體領域，上游材料的壟斷程度比下游高階積體電路產品的壟斷度還要高，國內積體電路高階材料全部依賴進口。據悉，Ferrotec專案，成功填補了國內大矽片生產領域的空白，打破了美國、日本對同類型矽片生產核心技術的進口壟斷，達產後將達到8英寸年產540萬片、12英寸年產288萬片矽片的生產能力。

對於應特格來說，計劃成為第一家在中國生產高純度沉積產品TEOS （矽酸四乙酯）的跨國企業，該合作合作有利於Entegris在中國擴大產能，同時也縮短了中國市場的沉積材料供應鏈。這些高純度沉積產品包括TEOS，這種材料對於半導體制造領域採用的3D NAND技術至關重要，該技術用於生產速度更快的先進儲存裝置與記憶體，對於支援中國半導體產業的全面發展也具有重要意義。

高純度積體電路氣體產品，並且首期產品目前已經到達相關使用者手中。

針對國際半導體材料廠商近一段時間以來不斷進入國內布廠，業內專家指出，一方面是由於國內市場的崛起，崛起的速度也讓這些壟斷性廠商不得不重視中國市場；另一方面，需要清醒的是，技術壟斷在短期內仍然打不破，國內仍要發奮圖強，力求自有技術的實現。

ALD工藝二元、三元單層薄膜前驅體

目前在ALD沉積工藝中，為了能得到二元或三元薄膜，往往透過將不同前驅體交替通入反應腔體，比如沉積Hf-Al-O薄膜，則透過交替通入TEMAH-H2O-TMA-H2O-TEMAH。。。，並形成疊層薄膜。科研人員透過不斷摸索，配製出了不同系列的新型前驅體，可用於沉積二元或三元單層薄膜，而非二元疊層。二元或三元單層薄膜的獲取，在催化應用領域，可透過提高或抑制效應，實現催化活性。在積體電路應用領域，可透過調節介電常數等，而實現預想的電學效能。

在原子層沉積（ALD）工藝中，選擇合適的前驅體對工藝控制、薄膜效能等方面至關重要。同時根據前驅體特性，如性狀、揮發性等，配以合適的源瓶則會對工藝有協同效應。除在前驅體研製方面充分發揮技術優勢外，還在ALD源瓶的設計和加工方面積累的豐富經驗。找ALD源瓶，優選“愛牟源科學”……

ALD前驅體工藝控制

前驅體材料是原子層沉積工藝的基礎，目前用於原子層沉積的前驅體包括無機類和金屬有機類二種，無機類在沉積速率、穩定性、膜質量等方面存在一些問題，應用會逐漸減少。金屬有機類特別是液態金屬有機物是開發的重點。前驅體生產過程的控制，對產品的質量穩定性提供了保證，產品研製過程控制如下（分別是製備、純化、分析）：