MOSFET導通、關斷過程詳細分析（轉）
作者：由 電子島 發表于 收藏時間：2020-07-16
原網址：MOSFET導透過程詳細分析 - 大大通
原作者：張強
MOSFET導透過程詳細分析
一、MOSFET開透過程
T0~T1：驅動透過Rgate對Cgs充電，電壓Vgs以指數的形式上升
T1~T2：Vgs達到MOSFET開啟電壓，MOSFET進入線性區，Id緩慢上升，至T2時刻Id到達飽和或是負載最大電流。在此期間漏源極之間依然承受近乎全部電壓Vdd
T2~T3：T2時刻 Id達到飽和並維持穩定值，MOS管工作在飽和區，Vgs固定不變， 電壓Vds開始下降。此期間Cgs不再消耗電荷， VDD開始給Cgd提供放電電流
T3~T4： 電壓Vds下降到0V，VDD繼續給Cgs充電，直至Vgs=VDD，MOSFET完成導透過程。
二、MOSFET關斷過程
MOSFET關斷過程是開透過程的反過程。如上圖示意
