假如出於操作原因或者是為了預防過高的接觸電壓,有必要將一導體或屬於工作電流電路的部分設施接地,該裝置必須只有一處接地點
圖8 Infineon IGBT模組關斷引數而對於Cree的1200V 300A SiC MOSFET模組,關斷電流的變化率為7000A/us,在100nH的雜散電感上會產生700V的尖峰
銅排雜散電感測量方法及波形04. IGBT模組內部雜散電感測量 IGBT模組內部雜散電感測量方法如圖4所示,需要把待測IGBT串聯至半橋迴路中,同時給待測器件門極15V電壓,讓其處於常開狀態