光刻機和刻蝕機哪個難？
作者：由 yswyx 發表于 收藏時間：2021-09-09
yswyx2021-09-09 14:53:18
2018-06-12 19:44:58光刻機一架7000萬美元，刻蝕機一架700萬美元，你覺得呢？
2020-04-22 12:37:48ASML EUV光刻機1。2億美金，蝕刻機應該也是在1千萬的級別，難度差距不是一點點。
另外光刻機裡面的光源系統，純硬體水平要達到幾個奈米，需要用到超高功率的鐳射才能實現，功耗水平很高，同時光源的均勻化需要很高的反射材料，對材料以及儀器的環境要求更高。
EUV光刻機的話，目前市場可以做到的也就是ASML，Nikon，Canon，其中ASML更是佔到了8成的市場份額。
國內目前仍然是求著人家買光刻機的地位，7nm的光刻做出來的晶片產品，從ASML的佈局看，已經是在為2030的下游產品佈局的了。
可以參考下光刻機的這邊介紹科普：
ASML：EUV極紫外光刻機——物理極限摩爾定律的新高度
2020-04-20 17:53:47當然是光刻機了，光刻機的量測系統 光學系統 控制系統絕對比蝕刻難太多了。
國內北方華創等國內的公司的蝕刻機臺已經7nm了 甚至5nm量產了。
你啥時候聽說國內7nm光刻機了？別說7nm你啥時候聽過國內 Krf機臺（用於生產65nm左右的晶片）量產了？
