臺積電、三星再度槓上為哪樁？緣起一個全新的 6nm 技術

就在昨日，臺積電和三星電子（Samsung Electronics）又隔空火拼了起來。

三星宣佈已完成 5nm FinFET 技術的開發，並宣稱有能力為客戶提供樣品，更透露第一個 6nm 客戶已進入流片。此舉激得臺積電也在傍晚公開全新 6nm （N6） 技術一事，宣佈在 2020 年首季試產，這是臺積電首次對外公開 6nm 的資訊。

4 月 16 日，三星宣佈的一連串技術進展，資訊量龐大：

首先，三星宣佈其基於 EUV 光刻技術的 5nm FinFET 工藝技術完成開發，且距離 2018 年 10 月在 7nm 工藝中匯入 EUV 技術，僅相隔六個月，其 5nm 相比 7nm 減少 25％的面積，以及提升 10％效能，並帶來 20％的功耗降低。

三星也首度透露，其 5nm 晶片是採用 Smart Diffusion Break （SDB） 電晶體設計架構。

三星強調，即將來臨的 5G、人工智慧、Connected＆Automotive、機器人等技術，是第四次工業革命的催化劑，而為了降低成本，半導體 5nm 工藝技術的發展成果至關重要。

三星進一步表示，會將 7nm 的智慧財產權（IP）也用在 5nm 上，讓 7nm 客戶在過渡到 5nm 的過程中，不但可以降低成本，預先進行生態系統的驗證和設計，進而縮短 5nm 工藝產品的開發時間。

除了 5nm 的進度，三星也宣佈第一個 6nm 客戶進入流片，也是基於 EUV 技術的開發。

這一連串的技術資訊量釋出，似乎”激怒“了臺積電，也在同日傍晚第一次對外宣佈 6nm 技術的問世。

臺積電表示，正式宣佈推出 6nm（N6） 工藝技術，以大幅強化目前已經領先業界的 7nm （N7） 技術，協助客戶在效能與成本之間取得高度競爭優勢，同時 N7 技術設計的直接移轉，達到加速產品上市目標。

臺積電表示，6nm（N6） 技術的邏輯密度較 7nm （N7） 增加 18%，且設計法則與 7nm 技術完全相容，優勢是使得 7nm 完備的設計生態系統能夠被再使用，等於是提供 6nm 客戶一個具備快速設計週期，且只需使用非常有限的工程資源，就可以無縫升級的路徑。

臺積電預計 6nm 將於 2020 年第一季進入試產，延續 7nm 家族在功耗及效能上的全球領先地位，產品應用包括高階到中階行動產品、消費性應用、人工智慧、網通、5G 基礎架構、繪圖處理器和高效能運算。

以前臺積電的傳統都是”先做再說“，沒做成的事就不會說，但遇到三星這個總是”先說再做“不按牌理出牌的強大競爭對手，逼得要在技術宣傳上懂得”耍花招“。

為什麼說是”耍花招“？因為三星進入 28nm 工藝節點後，把很多微縮技術的工藝節點，都取一個全新的命名，很早就喊出 10nm、8nm、7nm、6nm、5nm、3nm 等技術，帶動這種在技術宣傳上花招百出的行銷宣傳手法，逼著很多半導體大廠跟進。

另一方面，也是摩爾定律的瓶頸越來越近，要轉進一個全新的技術節點難度越來越高，需要的時間越來越長，因此，這中間的醞釀期，不如就把一些微縮技術節點”包裝“成一個嶄新的技術，一方面可以達到行銷宣傳的效果，另一方面，也是說服客戶買單的手法。

臺積電、三星一路從 10nm 打到 7nm，但最後臺積電的 7nm 已經量產，且拿下全球眾多大客戶，但三星自己的處理器都沒使用自家 7nm，短期內三星 7nm 要超前臺積電已是不可能，因此，三星現在把宣傳戰延續至 6nm、5nm 的策略，很有其一貫風格，只是把臺積電也逼得公開新技術的計劃，再度引發濃濃火藥味。