與英特爾難產的10nm工藝相比,其他三家半導體代工廠的工藝進展順利得多,臺積電、三星今年都會量產7nm工藝,Globalfoundries公司(以下簡稱GF)在7nm工藝上進度要慢一些,但是根據該公司CTO Gary Patton最近的表態
三星是最早要在 3nm 工藝節點上轉向 GAAFET 電晶體結構的 foundry 廠,Intel 和臺積電在 3nm 節點上都仍然要繼續用 FinFET,所以三星這兩年都在不遺餘力地宣傳 3nm GAA
同時架構、電壓不變情況下隨著電晶體元件間距縮小,電晶體之間電容也會降低,這使得單位時間內開關頻率會提升,也就是相同單位時間CPU工作效率得以提升,這就是為什麼製程工藝進步會帶動硬體效能進步原因
所以14nm的晶片效能要想追趕7nm的晶片,就只能在運算的週期數上面下功夫了,增大面積可以增加並行度,從而減小運算的週期數
詳細情況——百度一下“戰略Tick-Tock”即可摩爾定律的限制任何物體必須遵守物理定律而不能違背——我的白話文版本——7nm是晶片發展的一個關卡
更長的電池壽命,保持相同或更高的效能(更快的計算能力)4
3倍,效能提升35%,或功耗下降65%7nm+對比7nm,密度1
雖然吧,8nm的時候你GPU就比別人大了一倍,就算7nm EUV ,也是和蘋果一樣事堆料堆起來的,架構上的差距還是實打實的其實觀察anandtech的測量曲線就可以發現M4本身的能耗比是優於A75的,而A55小核心的能耗比都遠遜於A75和M
製程演進不過當半導體工藝繼續向前演進時,由於隨著電晶體尺寸逐漸縮小至接近物理極限,在各種物理定律的束縛下,半導體工廠如同戴著鐐銬跳舞,因此在幾家廠商紛紛出現“異常狀況”:本應屬於整代工藝的16nm製程被臺積電所用,Intel的14nm製程字
對於英特爾而言,AMD是誰
加之如今intel CPU在架構上優勢不在(出貨主力的skylake系在zen2面前已經沒多少優勢,之後的icelake/tigerlake僅僅侷限於部分低電壓平臺)&製程上毫無優勢(就算i粉如何吹水,intel的14nm+++++
儘管英特爾在10nm節點的特徵尺寸等同於臺積電7nm的,但未採用EUV光刻技術,而是繼續採用波長193nm的深紫外結合多重曝光進行光刻
英特爾10nm工藝密度約為100 MTr /mm
AMD今天公開展示了全球首款7納米制程的GPU晶片原型,含有32GB的高頻寬記憶體,專為人工智慧和深度學習設計,用於工作站和伺服器
臺積電表示,正式宣佈推出 6nm(N6) 工藝技術,以大幅強化目前已經領先業界的 7nm (N7) 技術,協助客戶在效能與成本之間取得高度競爭優勢,同時 N7 技術設計的直接移轉,達到加速產品上市目標
隨著晶片工藝越來越逼近矽的物理極限,摩爾定律在最近這幾年來發展速度不斷變慢,每一代晶片工藝的研發成本也像滾雪球一樣瘋狂飆升——比如臺積電宣佈砸250億美元研發5nm工藝——隨著技術紅利不斷消失,往牌桌上砸錢的玩家也越來越少
這個是手機實測,不單單指晶片,高通一代代處理器說功耗降低百分之幾十,你真的能體驗出這麼大的差距嗎,續航受很多影響因素的
而採用EUV的臺積電第二代7nm則領先三星近一年實現了量產
因為Intel 10nm製程難產原因很複雜一句兩句說不清簡單點說:這幾年,做手機處理器的比做電腦處理器的賺錢Intel® Core™ i3-8121U Processor (4M Cache, up to 3