利用斜率最大點作為切點(採用相似三角形,兩邊的y1和y2做差為,兩邊的x1和x2做差為),求得lx,x2減去lx即為所得的閾值電壓
實際中,閾值電壓還需考慮金屬-半導體功函式差、氧化層電荷的影響
一般foundry會提供以下不同閾值的單元庫:HVT = High V thresholdLVT = Low V thresholdSVT(RVT)= Standard V threshold( Regular V threshold )閾
當溝道長度足夠短時,閾值電壓與溝道長度出現了強關聯,溝道長度減少,閾值電壓減少
[2]from 《積體電路製造工藝與工程應用》,溫德通,機械工業出版社3,最後:“閾值電壓離子注入工藝”從老節點到先進節點(如7nm)都有使用,在先進節點,不是所有器件區都需要,有的器件區只需要multi-patterning Metal
如果熱電子只是單純地注入進氧化層,將妨礙氧化層下方的溝道形成,NMOS的閾值電壓幅度顯然是會增加的