如果做14奈米,按中芯95%的良率,打上95折,也有7個廠的產能,如果做7奈米,因為要多重曝光,而且良率極低,據說目前只有15%,那麼推估一臺DUV每天只能做7片12寸7奈米的晶片,要按2萬片一個廠的產能算,如果以目前中芯的技術做7奈米,一
用於圖案化晶片應用的基於DUV的光學檢測使用與舊的可見光和紫外光檢測系統相同的影象比較原理
E-beam原理圖2、E-beam光刻技術對於DUV光刻技術而言,由於鐳射器波長的為193nm,受光學衍射極限的限制,在晶圓上能夠刻蝕的最小特徵尺寸只能達到100nm左右
圖1但是,隨著晶片設計人員將技術節點轉移到10nm以下,DUV的購買量正在減少,而EUV的數量卻在增加
304nm型別:18P浸液微縮投影鏡頭文獻-光學系統Layout:文獻-光學系統資料:文獻-非球面面型係數:ZEMAX復現分析:Layout:Spot Diagram:Field Curve & Distortion:其他資訊:光學