採用功率MOSFET場效應作為開關電源中的功率開關,在啟動或穩態工作條件下,功率MOSFET場效電晶體的峰值電流要比採用雙極型功率電晶體小得多
飛虹的這個FHP1404低壓MOS管為N溝道溝槽工藝MOS管,適用於500W/12V輸入的逆變器的前級電路,除了可替代HY4004場效電晶體,還可替代RF1404場效電晶體使用
電阻、電容、電感、二極體、三極體等都是電子電路常用的元器件
柵極擊穿電壓結型場效電晶體正常工作時,柵、源極之間的PN接面處於反向偏置狀態,若電流過高,則產生擊穿現象
上面的防接反電路採用了一個保險絲和一個反向並聯的二極體,電源極性正確,電路正常工作時,由於負載的存在電流較小,二極體處於反向阻斷狀態,保險絲不會被熔斷
三極體相對於場效電晶體,由於需要一定基極電流Ib放大集電極電流Ic會產生一定功耗,不適合應用高效率大電流的場合
耗盡型絕緣柵場效電晶體(MOSFET)絕緣柵場效電晶體2、耗盡型絕緣柵場效電晶體(MOSFET)耗盡型的MOS管也有N溝道和P溝道之分,下面我們為了全面說明問題,現在以N溝道耗盡型絕緣柵場效電晶體為例來說明,由下面的輸出特性曲線圖可以看到,
三極體是靠載流子的運動來工作的,以npn管射極跟隨器為例,當基極加不加電壓時,基區和發射區組成的pn結為阻止多子(基區為空穴,發射區為電子)的擴散運動,在此pn結處會感應出由發射區指向基區的靜電場(即內建電場)
三極體,全稱應為半導體三極體,也稱雙極型電晶體、晶體三極體,是一種控制電流的半導體器件,其作用是把微弱訊號放大成幅度值較大的電訊號, 也用作無觸點開關
此時如果再減小柵—源電壓VGS,甚至在柵—源間加負壓,狹長的導電溝道就會進一步拉長,載流子透過越來越困難,ID減小(場效電晶體變成了受控的恆流源,即起到線性放大作用),當ID減小到一個很小的值時,稱為溝道夾斷,此時的夾斷是完全夾斷(可粗略理
場效電晶體屬於電壓控制器件,沒有輸入電流也會有輸出電流
根據半導體結與環境之間的熱阻,以及最大的結溫計算是否符合散熱要求常用型號:NDD04N60Z-1G、NDD04N60ZT4G、RRR030P03、FQPF6N80C、311LOK、AOTF12N60、2N7002、SMK1060F、D2NB
(關於這些內容如有不懂,請看我的類比電路專欄,即下面連結)MOS管的輸入輸出特性(伏安特性)如下圖由於柵源(GS)之間被絕緣層所隔離,所以不存在電流,所以沒有輸入特性曲線
沒有電阻Rgs時,在G極接上5V控制訊號,相當於給寄生電容Cgs進行充電,即使撤去G極上的控制電壓,G極上也有電容的電壓存在,所以MOS仍然是導通的