臺積電分享碳奈米管的最新進展
矽基器件已經成為我們行業60多年的基礎,這非常令人驚訝,因為最初的鍺基器件將難以大規模整合。(值得一提,GaAs器件還開發了一個獨特的微電子市場領域。)
最近,令人驚訝的是,透過引入諸如FinFETs之類的拓撲結構以及即將到來的奈米片,矽場效應器件獲得了新的生命。矽基互補FET的研究正在進行中 (CFET)設計達到量產狀態,其中nMOS和pMOS器件是垂直製造的,從而消除了當前單元設計中的橫向n-p間距。
另外,材料工程學的進步已經將(拉伸和壓縮)應力納入矽通道晶體結構中,以增強自由載流子遷移率。
但是,矽裝置收益遞減的點正在逼近:
由於高電場下的速度飽和,無矽載流子遷移率接近最大值
尺寸的持續縮小降低了矽半導體的導帶和價帶邊緣的“自由載流子態密度”(DoS)–填充更大範圍的載流子態需要更多的能量
與Fin圖案相關的統計過程變化很大
散熱片的熱傳導導致區域性“自熱”溫度升高,從而影響了幾種可靠性機制(HCI,電遷移)
為解決以上問題,目前業界正在進行大量研究,以評估與矽完全不同的場效應電晶體材料的潛力,但這也與當前的大批次製造操作相一致。一種選擇是探索 器件通道的單層二維半導體材料,例如二硫化鉬(MoS2)。
另一個有希望的選擇是從碳奈米管(CNT)構造裝置溝道。下圖提供了碳鍵獨特性質的簡單圖示。(我對化學反應有些不熟悉,但我記得“ sp2”鍵是指原子核周圍亞軌道“ p殼”中相鄰碳原子的電子配對。沒有“懸掛鍵”,並且碳材料是惰性的。)
請注意,石墨,石墨烯和CNT的化學結構相似-使用石墨進行的實驗材料分析更加容易,並且最終可以擴充套件到CNT處理。
在最近的IEDM會議上,臺積電提供了有關CNT器件製造進展的有趣更新。本文總結了該演講的重點。
CNT裝置具有一些引人注目的功能:
極高的載流子遷移率(>3,000cm²在/V-sec,“彈道運輸”(ballistic transport),散射最小)
非常薄的CNT主體尺寸(例如,直徑〜1nm)
低寄生電容
優良的導熱性
低溫(<400C)處理
最後一個功能特別有趣,因為它還為基於矽的高溫製造與後續的CNT處理整合提供了潛力。
門介電(Gate Dielectric)
臺積電開發了獨特的工藝流程來為CNT器件提供“高K”電介質等效柵極氧化物,類似於當前矽FET的HKMG處理。
上面的TEM圖說明了CNT的橫截面。為了與獨特的碳表面相容,需要沉積初始介面電介質(Al2O3)–即需要在碳上對該薄層進行適當的成核和整合。
隨後,新增高K HfO2膜的原子級沉積(ALD)。(如前所述,這些關於材料效能的介電實驗是在石墨基底上完成的。)
這些柵極電介質層的最小厚度受到非常低的柵極洩漏電流(例如,柵極長度為10nm的<1 pA/CNT)的限制。下面說明用於測量柵極到CNT洩漏電流的測試結構。(對於這些電測量,CNT結構使用石英襯底。)
實驗得出的“最佳”尺寸為t_Al2O3=0。35nm和t_HfO2=2。5nm。由於這些極薄的層,Cgate_ox非常高,從而改善了靜電控制。(請注意,這些層厚於CNT的直徑,其影響將在稍後討論。)
門方向(Gate Orientation)
臺積電評估的CNT器件採用了獨特的“頂柵加背柵”拓撲。
頂柵提供常規的半導體場效應器件輸入,而(較大的)背柵提供對S/D擴充套件區域中載流子的靜電控制,以有效降低寄生電阻Rs和Rd。而且,背柵會影響CNT與鈀金屬之間的源極和漏極接觸電勢,從而降低肖特基二極體勢壘以及在該半導體-金屬介面處的相關電流行為。
裝置電流
CNT pFET的IV曲線(線性和對數Ids(用於亞閾值斜率測量))如下所示。對於此實驗,Lg=100nm,S/D間距為200nm,CNT直徑=1nm,t_Al2O3= 1。25nm,t_HfO2=2。5nm。
對於此測試(製造在石英基板上),單個CNT支援超過10uA的Ids。接近上述目標尺寸的更薄電介質將實現進一步的改進。
最終將在生產製造中使用平行CNT-相關的製造指標將是“每微米CNT的數量”。例如,4nm的CNT間距將被引用為“ 250CNTs/um”。
挑戰
規劃CNT生產時肯定要解決一些挑戰(僅舉幾例):
規則/均勻的CNT沉積,具有非常乾淨的表面,用於介電成核
需要最小化柵極電介質堆疊中的載流子“陷阱密度”
最佳S / D接觸電位材料工程
裝置建模設計
上面的最後一個挑戰尤其值得注意,因為當前用於場效應電晶體的緊湊型器件模型肯定不夠用。CNT柵氧化層拓撲與平面或FinFET矽通道完全不同。由於柵極到溝道的電場本質上是徑向的,因此與平面器件一樣,“有效柵極氧化物”並不存在簡單的關係。
此外,S/D擴充套件需要唯一的Rs和Rd模型。而且,CNT柵氧化層的厚度比CNT的直徑厚,從而導致從柵到S/D延伸以及到(小間距分隔)平行CNT的大量邊緣場。為基於CNT的設計開發合適的緊湊模型是一項持續的工作。
順便說一句,CNT“環繞柵極”氧化物(類似於奈米片周圍的所有柵極)將比沉積的頂部柵極氧化物有所改進,但難以製造。
臺積電顯然正在投入大量研發資源,為“不可避免的”後矽器件技術的引入做準備。CNT的製造和電學表徵結果證明了該器件替代產品的巨大潛力