中科院在與intel的專利戰中“鰭”開得勝

作者：龔甚其

1。 引文

2018年，中國科學院微電子所（以下簡稱“微電子所”）在北京市高階人民法院向英特爾（中國）有限公司（以下簡稱“Intel”）提起專利訴訟，指控Intel侵犯中科院微電子所的FinFET（Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鰭式場效應電晶體）專利，要求賠償至少2億元，同時請求法院對“酷睿”產品實施禁售。專利訴訟中涉及的FinFET專利的申請號CN201110240931。5（以下簡稱“涉案專利”），申請日期為2011年08月22日。

下面筆者先對涉案專利的技術領域-FinFET技術及其商業化程序簡單介紹一下。

2。 FinFET技術及主要商業化情況

2。1 FinFET技術

現在幾乎人手一臺智慧手機，而智慧手機的心臟就是裡面的處理器晶片。現階段手機處理器晶片製造的主流工藝技術是FinFET工藝。

FinFET（圖1的右部分），是一種新的互補式金氧（CMOS）半導體電晶體。FinFET由美籍華人科學家胡正明教授帶領團隊在1999年發明。中芯國際現任聯合CEO梁孟松的導師正是胡正明教授。

圖1 傳統平面工藝MOSFET Vs FinFET工藝MOSFET（LexInnova 2015）

Intel在2011年推出的第三代酷睿處理器開始使用22nm FinFET工藝［1］，為FinFET工藝在商業上的最早應用。

2。2 FinFET技術流派的簡析

應用FinFET技術的商業廠家主要分成兩個工藝技術流派。兩派區別點主要在於電晶體器件襯底的選擇。一派是以Intel為首的陣營選擇體矽（bulk silicon）作為襯底，其成員主要有Intel、臺積電及中芯國際；另一派是以IBM為首的陣營選擇絕緣體上矽（SOI，Silicon On Insulator）作為襯底，其成員主要有三星、Global Foundries及臺聯電。圖2主要對兩個陣營中商用量產廠家的首次量產（資料來源：芯思想研究院）及關鍵事件做了總結。

圖2為FinFET工藝主要商用情況

3。 涉案專利技術背後的故事

3。1 涉案專利的重要性

涉案專利的申請年份正值FinFET商業化（22nm）伊始，而且從專利技術內容分析後可知在當時的光刻機水平下（光刻機領域領頭羊ASML在2013年才推出適用於22nm光刻精度的光刻機，比2011年晚了2年），該專利中的工藝技術具有顯著的技術優勢。涉案專利的專利技術並沒有限制襯底材料的選擇，故後續FinFET商業化系列產品中電晶體的襯底不管是選擇bulk silicon，還是SOI，都有可能侵犯到該專利的專利權。

綜合來看涉案專利為FinFET工藝技術的重要專利之一。

3。2 專利權人

涉案專利權人微電子所（英文簡稱IMCAS或IMECAS）在微電子全領域有商業佈局。

透過分析微電子所直接/間接投資/控股的企業後（參見圖3，資料來源國家企業信用資訊公示系統），可看出來微電子所在微電子全領域都有商業佈局，從積體電路設計、工藝裝置、封裝等均有佈局。

圖3 微電子所直接/間接投資/控股的企業

微電子所在FinFET領域專利佈局較早，專利組合質量較高，專利數量較多，多位專利發明人擁有國際一流半導體公司和研發機構的工作經驗。

微電子所在FinFET領域內申請專利的最早時間為2004年（資料來源Incopat），申請號為CN200410088513。9，第一發明人是殷華湘（曾在三星公司工作）。

圖4 LexInnova 2015 FinFET專利質量分佈圖

圖5 LexInnova 2015 FinFET專利數量TOP20

2015年美國諮詢公司LexInnova分析指出［2］，在FinFET領域，微電子所（IMCAS）的專利組合整體質量全球排名第一（圖4）。同時，微電子所專利組合的申請量排名全球FinFET領域第11，是中國大陸唯一進入全球前20名的單位（圖5）。

圖6 微電子所FinFET專利發明人TOP5

微電子所在FinFET領域專利申請中申請量最多的五位發明人（圖6，資料來源Incopat）為朱慧瓏，殷華湘，鍾匯才、尹海洲及趙超，大都擁有國際一流半導體公司和研發機構的工作經驗。

3。3 發明人背景

圖7 涉案專利的核心發明人

涉案專利的核心發明人大都擁有國際一流半導體公司和研發機構的豐富工作經驗，具體可參考圖7（圖片來源：中國電力發展促進會、IEEE、中科院微電子所、中科院）。

4。 專利訴訟案系列時間線

Intel在被微電子所起訴後，打算採用釜底抽薪的辦法（無效涉案專利及其美國同族專利）來應對這個侵權訴訟，圖8採用時間線的形式具體描述了這個過程。

圖8 專利訴訟時間線

Intel針對涉案專利先後向中國專利局複審和無效審理部（以下簡稱“合議組”）提起了兩次無效請求。第一次決定的案件編號是4W107051（以下簡稱“第一次中國無效決定”），第二次決定的案件編號是4W110030（以下簡稱“第二次中國無效決定”）。

在第一次中國無效決定中，合議組最終宣告涉案專利全部維持有效；而在第二次中國無效決定中，合議組最終宣告涉案專利部分有效，其中權利要求8、10、14無效。圖9為目標專利權利要求佈局情況。

圖9 目標專利權利要求佈局情況

第一次中國無效決定的要點：

公知常識的認定：專利審查指南第四部分《複審與無效請求的審查》第八章4。3。3中明確規定：當事人可以透過教科書或者技術詞典、技術手冊等工具書記載的技術內容來證明某項技術手段是本領域的公知常識。本次無效過程中的公知常識認定具體情況如下：會議論文、科技類圖書及專利文獻均不能被認定為公知常識，本領域的教科書類書籍可以被認定為公知常識。

第二次中國無效決定的爭論點：

合議組認為證據1具體實施方式中，製造方法和由該方法制造的器件結構公開的是一個整體的實施例，是對同一工藝過程從不同角度進行的關注，因此可以用來評價目標專利權利要求8的新穎性。

基於審查指南第二部分《實質審查》第三章3。1（2）中明確規定的新穎性的單獨比對原則，筆者對這個爭議點持有懷疑態度。筆者認為證據1具體實施方式中的製造方法和由該方法制造的器件結構公開的是兩個相關聯的技術方案，因此不能把兩個技術方案結合起來評價目標專利的權利要求8的新穎性。

Intel針對涉案專利的美國同族專利（US9070719B2）向USPTO的專利審判和上訴委員會（以下簡稱“PTAB”，）先後提起了兩次雙方複審（IPR， Inter Partes Reviews）的請求。PTAB針對兩次請求（案件號分別是IPR2018-01574和IPR2019-00834）分別做出了決定，最終駁回Intel的兩次請求。

5。 今後可能發生的事情

5。1 訴訟案最終結果

對於本次專利訴訟案來講，微電子所的贏面很大。Intel在中國、美國兩地分別針對涉案專利及其美國同族專利提起無效請求，結果均未成功全部無效兩件專利。

本次專利訴訟案索賠金額有上升的空間。同類專利判例中的索賠金額遠遠超過本案索賠數額。

如韓國科學技術院的IP公司vs。三星案（US6885055B2）：

2016年11月29日的時候，韓國科學技術院的IP公司（KAIST IP US， LLC）在美國德克薩斯東區法院對三星、高通和GlobalFounderies提起了FinFET專利侵權訴訟（美國訴訟案件編號：2：16-cv-01314）。韓國科學技術院的IP公司聲稱三星生產的14nm FinFET工藝的手機處理器（例如三星Exynos 系列多款晶片，高通驍龍系列部分晶片），三星Galaxy 系列部分智慧手機均涉侵權之列，要求4億美元賠償。2020年2月，法院判令三星賠償2億美元。

2020年3月30日，韓國科學技術院的IP公司就同一個侵權專利（US6885055B2）在美國聯邦巡迴法院起訴三星、高通和GlobalFounderies兩次，目前兩個訴訟仍在進行中（美國訴訟案件編號2020-1619、2020-1621）。

5。2 後續專利訴訟的可能性

微電子所透過起訴FinFET工藝首位商業化生產廠家Intel後，接下來很有可能對其他FinFET商業化生產廠家提起專利侵權訴訟。

從技術陣營角度選擇的訴訟物件的話，由於微電子所的FinFET專利技術更偏向於Intel陣營，選擇該陣營的可能性更大。臺積電作為Intel技術曾經的跟隨者［3］，目前已經是晶圓代工行業老大，很有可能會是微電子所的下一個訴訟物件。

FinFET工藝商業化生產廠家不僅包括晶圓代工廠，還包括晶片供應商及智慧手機供應商等。以智慧手機為例，智慧手機晶片供應商高通及智慧手機供應商蘋果均很有可能是微電子所後續的訴訟物件。

5。3 後續專利許可的可能性

微電子所透過本次訴訟，會讓眾多FinFET工藝商業化生產廠家有危機意識。此時專利許可不失為一種雙方共贏的方式，因此FinFET工藝商業化生產廠家與微電子所之間後續可能會有許可談判。

6 結束語

微電子所在本次專利訴訟上的優勢並不是偶然獲得的，是透過長期研發積累、產業規劃佈局、人才培養以及國家的支援下取得的。面對當下日新月異的微電子技術發展，跟上新技術的腳步、提早佈局重要專利尤為重要。

［1］

https：//

newsroom。intel。com/pres

s-kits/intel-22nm-3-d-tri-gate-transistor-technology/#gs。40es2i

［2］ 《FinFET： Extending Moore’s Law》，2015，LexInnova

［3］ “中科院微電子所的FinFET專利，為何能讓英特爾忌憚三分”， 2020， 愛集微APP