WD Black SN850 1T M.2拆解測試
PCIE4。0固態很早就有問世產品，但直到intel開始推廣PCIE4。0，各大廠才放出PCIE4。0的固態硬碟。而明明早在一年前，AMD就開始推廣PCIE4。0。所以到今天為止，PCIE4。0固態到底表現如何呢？所以就搞來了SN850來試試。
WD Black SN850 1T 規格：
規格：M。2 2280
容量：1T
介面：PCIE4。0 X4
協議：NVMe 1。4
顆粒： Sandisk 512G TLC
順序讀取：7000MB/s
順序寫入：5300MB/s
隨機4K讀取：1000000IOPS
隨機4K寫入：720000IOPS
終身寫入壽命：600TBW
拆解：
SN850採用單面設計，主控、顆粒和快取都在一面，背面乾乾淨淨。可能2T版會採用雙面設計吧。單面設計放筆記本的相容性更好。但我相信不會有人願意把這東西放進筆記本里。
撕開貼紙就可以看到主控了，為閃迪自己的主控，編號20-82-10034-A1、DVT3-SE924。以前閃迪都喜歡用馬牌的定製主控，可能現在馬牌太菜了，改用自己的主控了。但一般來說主控這種技術儲備不是想自己研發就馬上自己研發出來的。閃迪自己是有Fusion-IO這個比較有技術含量的主控設計廠，但Fusion-IO主要面向企業級，民用基本不是一個等級。所以有那麼一刻我甚至懷疑閃迪是不是拿群聯來用了。至於到底是什麼主控，就只有閃迪知道了。
顆粒方面採用的還是閃迪自家的TLC 512G顆粒。顆粒編號CSS07B-S81DVCSS-16DR。顆粒的編號已經開始有點貓膩了，比如16DR可能就是通道和CE，但其實就不知道了，這些編碼資訊就留給喜歡破譯密碼的“情報科”去挖掘吧。
快取方面，使用了1顆美光旗下的DDR4 2666 8Gb顆粒，編號D9WFH，SSD終於用上了DDR4而且還是2666的顆粒，喜大普奔。
測試：
測試方法：
SN850作為PCIE4。0固態而且還是家用級別的固態，整體設計應當依舊偏向於家用低佇列高響應高速度的設計。本次測試採用傳統軟體跑分與Txbench混合多模式跑分以測試其效能。
測試專案：
空盤狀態下：
CrystalDiskMark 5。0。3 16G
ASSSD 2。0。6821。41776 5G
95%順序讀取（寫入）/5%隨機寫入（讀取）（模擬系統盤下讀寫大型資料）
50%隨機（順序）讀取/50%隨機（順序）寫入（模擬非系統盤內資料讀寫）
80%順序寫入/20%順序讀取（模擬常見大型資料讀寫）
60%順序寫入/40%隨機寫入（模擬混合寫入佇列）
80%滿盤下：
95%順序讀取（寫入）/5%隨機寫入（讀取）（模擬系統盤下讀寫大型資料）
50%隨機（順序）讀取/50%隨機（順序）寫入（模擬非系統盤內資料讀寫）
80%順序寫入/20%順序讀取（模擬常見大型資料讀寫）
60%順序寫入/40%隨機寫入（常見大型資料讀寫）
多執行緒效能測試。
*（1。所有混合佇列讀寫任務使用QD8，模擬日常系統使用的佇列深度
測試平臺：
CPU：AMD Ryzen R5 3500X
主機板：華碩ROG Crosshair VIII Formula
顯示卡：NVIDIA Geforce RTX3060Ti
記憶體：金泰克 X3 RGB DDR4 8G*2 3600
系統盤：江波龍 128G WTG
電源：鑫谷GP900G
系統：Windows 10 1903 （關閉網路）
空盤狀態下：
ASSSD的表現很不錯，4K低佇列已經到了76。54MB/s，191。64MB/s。但是高佇列並沒有達到標稱的效能。順序讀寫的表現也是類似。
CDM的表現好了點，Q8模擬系統任務佇列下讀取達到6226。8MB/s，寫入3265。9MB/s。如果把執行緒放寬應該就可以達到標稱值了，但是這樣的任務場景，家用基本遇不到。4K的Q8T1下表現為505MB/s，648MB/s，換算下來大概是15萬IOPS左右。同期對比，M9P PLUS大概在10萬左右，提升還是很明顯的。
95%順序讀取/5%隨機寫入模擬的是系統盤進行大規模讀取時系統所能留有的冗餘運作空間。
SN850的寫入能達到2。45MB/s左右，這個冗餘本身是非常充足的，不過還是拿M9P PLUS來對比，M9P PLUS能跑到3。2MB/s。但讀取速度很充足，基本維持6000MB/s上下。
95%順序寫入/5%隨機讀取模擬的是系統盤進行大規模寫入時系統所能留有的冗餘運作空間。
SN850為隨機讀取預留了1。2MB/s左右的讀取空間。寫入也能跑到3000MB/s上下，對比以前的SSD都是全面吊打。
50%順序讀取/50%順序寫入模擬的是非系統盤內進行的讀寫操作。
SN850的盤內讀寫速度不錯，達到了2800MB/s，基本也是吊打一切。
50%隨機讀取/50%隨機寫入模擬的是非系統盤內進行的讀寫操作。
隨機盤內讀寫在208MB/s，波動不大。
80%順序寫入/20%順序讀取模擬的是常見大型資料的讀寫操作。
一般來說能跑出接近比例的速度，這個SSD的主控基本都沒有特別偏向性的調教，或者說沒有什麼缺點。這裡的776。37MB/s，3102。74MB/s接近1：4。
60%順序寫入/40%隨機寫入模擬的不常見的大規模混合寫入，比如一些下載，快取佇列等。
這個速度和順序寫入接近，效能確實很不錯。
85%滿盤下：
95%順序讀取/5%隨機寫入下
在85%滿盤後，因為TLC Cache的上限問題，所以每當寫爆了SLC之後，效能下跌的明顯。當然就算是如此，SN850的讀取響應時間都能維持在30ms上下。當然讀寫的速度就很低了，只有100MB/s不到。
95%順序寫入/5%隨機讀取下
表現類似，但這時候讀取延遲提升到了300ms，而寫入延遲最高也有120ms。
50%隨機讀取/50%隨機寫入下
SN850因為滿盤導致的效能影響更加明顯了，不僅大裂谷多了，甚至讀寫速度都下降了。這裡延遲甚至跌入負數了。其實並不是真的負數了，而是因為這種波動太大了，Excel的連續曲線甚至不夠空間做快取，所以把副座標軸降低了。只能說明，相應波動太大了。
50%隨機讀取/50%隨機寫入下
隨機的盤內讀寫收到的影響稍微小一點。可能也和4K讀寫量比順序讀寫量小的原因。
80%順序寫入/20%順序讀取下
一旦是滿盤下，涉及順序讀寫這種資料量比較大的讀寫操作，波動都很大。
60%順序寫入/40%隨機寫入下，
表現類似，基本爆炸了。
以上小結：
可以看到滿盤後的SN850效能對比空盤損耗很大。也就是說SN850這麼輝煌的效能下其實還是很依賴SLC Cache，一旦Cache用光了，效能下降非常明顯。不過就算是這樣，SN850下降後的效能依舊不算差。還是能吊打目前大部分的中高階SSD。
HDTUNE測試
看來SN850之所以能夠有那麼高的效能，核心還是採用了比較激進的全盤模擬SLC。因為HDTUNE最大隻能寫入250GB的資料。所以沒能目睹緩後SSD的效能。估計緩後效能是可以超過800MB/s以上，甚至能到1。5G/s。
總結
SN850的效能確實非常高，也吊打了很多以前的老SSD。但我並不覺得滿意。原因在於效能的爆發點沒有落在家用低佇列上，或者說偏移了。儘管在許多複雜場景裡，SN850對比過去的旗艦SSD，效能至少都是50%以上的提升。但在最簡單的順序讀寫裡面，居然都沒有達到標稱值。對於一款家用SSD來說，儘可能在低佇列T1下爆發最大的效能是讓使用者體驗提升最明顯的方法。所以SN850沒能夠在低佇列，或者說居然沒有在CDM上把滿分跑出來，實屬遺憾。
但從SN850的整體效能我們也確實能看到西數的技術儲備是有的，特別是那嚇死的TLC讀寫速度。對比初代TLC只有百兆左右的讀寫速度，可謂天壤之別。而主控在複雜佇列的情況下的效能表現也明顯優於其他主控的表現。如果硬要給他定性，那麼只能說SN850是一個明明是家用盤，但是效能有點偏向於企業級的硬碟。SN850作為西數的PCIE4。0旗艦硬碟，估計暫時不會有什麼大更新，希望未來能把主控的效能繼續最佳化，讓SN850在低佇列上完整的爆發出順序讀寫的所有效能。
