DDR4看這一篇還不太夠-韌體篇

DDR4看這一篇就夠了-韌體篇

簡介

狀態機

簡介

所謂韌體，就是firmware，經過幾天前的研究，對於DDR4的硬體連線有了一定的瞭解，但這只是保證了電路能用，至於怎麼用，為什麼這麼用，就是這一篇要回答的問題了。

在這其中，又會跟前一篇有一些交錯的地方，比如DQ ref training，很多話題會補全前一篇文章中為什麼那些訊號要按照一定的要求來處理。

廢話少說，開始學習吧~

狀態機

只要是數位電路，基本萬變不離其宗：有限狀態機。

下圖是DDR4的簡化版狀態機，沒有考慮一些額外的因素，比如多個顆粒的選擇，ODT的使能不使能等。

有關狀態機的前四個狀態，國外有個

http：//

systemverilog。io

的網站上寫的最好，國內也有人翻譯了中文版釋出在了知乎專欄，具體連結：

英文版

和

中文版

。

通讀了幾遍這兩篇文章，本文再寫什麼都顯得太過膚淺，那就只分析一個電路細節吧：

根據文章分析，圖片上面框中的電阻網路目的應當是調節出一個精確匹配外界240ohm參考電阻的阻值，也即精確的240ohm，最右側的電阻則是略大於240ohm。

那麼問題來了，當這幾個P溝道的MOS管導通的時候，框中的等效電阻大概是多少呢？

查了一下，P溝道的MOSFET一般Rdson是0。1ohm上下，那麼這個電阻顯然不是這樣用的，根據電阻並聯的原理，當兩個或者多個電阻並聯的時候，阻值必然小於其中最小的電阻，看起來這個電阻網路中的P溝道MOS管應該工作在放大區，透過極大的阻值來讓並聯後的阻值靠近240ohm。

如果是按照這個原理，下面的一段話的前半句可能就沒那麼合適了，因為並聯之後確實驅動能力會增強，但因為我們用了MOS管的放大區，所以漏電流應該很小，這種情況下對於驅動能力的增強微乎其微……

以上的分析都是基於文章中內容的猜想，具體實際應用中DDR廠商使用了什麼方式去調節就要看實際情況了。