理解飽和失真和截止失真的幾個要點

圖1

圖1是正常工作狀態下的訊號放大圖。也就是說，載入在圖2輸入端的正弦交流訊號可以正常放大ib->ic。

圖2

圖3

圖3則是出現了飽和失真。首先，我們注意到，圖2中的ic和uo是反相的，所以，飽和失真出現在u0的負半周，ic的正半周，它們的波峰都被截去了。

那麼，飽和失真為什麼出現在u0的負半周呢？

首先，三極體的飽和區是指發射結正偏，集電結正偏，同時Ib增大的時候，Ic增大不多或基本不變，則說明電晶體進入飽和區域。

圖4說明，集電極電流IC的形成，是因為載入在集電極的正電壓對於電子的吸引形成的。如果集電極的正電壓很小，那麼集電極就將失去這種能力。

圖4

圖3表明，在Q點很高的時候，uCEQ是很小的，由於發射極接地，uCEQ很小就等於集電極電壓很小，而圖3中載入在uCEQ之上的交流訊號處於負半周的時候，就將進一步減小集電極電壓，從而導致集電極電流失去隨基極電流產生變化的能力，因此，在uo的負半周出現了飽和失真。

圖5

同樣可以解釋圖5的截止失真。在Q點很低的時候，圖5（a）的IBQ已經很小，而載入在IBQ之上的交流訊號ib處於負半周的時候，就將進一步減小基極電流，使得三極體進一步截止，從而導致基極電流和集電極電流在負半周產生變化的能力，因此，在ic的負半周出現了截止失真。

可以簡單總結如下：

1：飽和失真出現在uo的負半周，ic的正半周

2：截止失真出現在uo的正半周，ic的負半周